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场效应管 IRFS634A IRFS634B

价 格: 面议
漏极电流:5.8A
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
型号/规格:IRFS634A IRFS634B,MOS,250V,8.1A,0.45Ω,220F
材料:N-FET硅N沟道
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
夹断电压:30
导电方式:增强型
极间电容:950

产品型号:IRFS634A

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):5.8

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.45 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):38

输入电容Ciss(PF):730 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):5.41

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):210

导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.

上升时间Tr(ns):14 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):53 typ.

下降时间Tf(ns):21 typ.

温度(℃): -50 ~150

描述:250V,5.8A N-沟道增强型 PowerMESH MOSFET

 

产品型号:IRFS634B

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.45

漏极电流Id(on)(A):8.1

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150

描述:250V,8.1A功率MOSFET

 

应用范围:
.UPS电源

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