价 格: | 面议 | |
漏极电流: | 5.8A | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
型号/规格: | IRFS634A IRFS634B,MOS,250V,8.1A,0.45Ω,220F | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
夹断电压: | 30 | |
导电方式: | 增强型 | |
极间电容: | 950 |
产品型号:IRFS634A
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5.8
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.45 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):38
输入电容Ciss(PF):730 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):5.41
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):210
导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.
上升时间Tr(ns):14 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):53 typ.
下降时间Tf(ns):21 typ.
温度(℃): -50 ~150
描述:250V,5.8A N-沟道增强型 PowerMESH MOSFET
产品型号:IRFS634B
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.45
漏极电流Id(on)(A):8.1
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150
描述:250V,8.1A功率MOSFET
应用范围:
.UPS电源
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