让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>25V场效应管 AP86T02GH,86T02GH

25V场效应管 AP86T02GH,86T02GH

价 格: 面议
品牌/商标:AP/富鼎
型号/规格:AP86T02GH AP/富鼎 09+ SOT-252 N场 75A 25V
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:3(V)
夹断电压:±20(V)
低频跨导:42S(μS)
极间电容:2930(pF)
漏极电流:75A(mA)
耗散功率:75W(mW)

<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!
全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话
MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
电脑主板显卡场效应管:
2SK3467-ZK 05 NEC SOT-263 20V 80A 
2SK3572-ZK 05 NEC SOT-263 20V 80A 0.0057Ω
2SK3638-ZK-E1 05 NEC SOT-252 20V 64A 0.0085Ω
2SK3639-ZK-E1 06/05 NEC SOT-252 20V 64A 0.0055Ω
AOB414 04NPB AO SOT-263 30V 110A 0.0042Ω
AOD404 05NPB AO SOT-252 30V 85A 0.007Ω
AOD412 05NPB AO SOT-252 30V 85A 0.007Ω
AOD452 09 AO SOT-252 25V 55A 0.0085Ω
AOD448,SOT-252,AO,SMD/MOS,30V.75A.0.005Ω
AP60N03S 03 AP/富鼎 SOT-263 30V 55A 0.0135Ω
AP70L02GH 04 AP/富鼎 SOT-252 25V 66A 
AP70T03GH 07 AP/富鼎 SOT-252 30V 60A 
AP72T02GH 09 AP/富鼎 SOT-252 25V 62A 0.009Ω
AP80N03S 02 AP/富鼎 SOT-263 30V 80A 
AP85L02GH 07 AP/富鼎 SOT-252 25V 85A 
AP85L02S 03 AP/富鼎 SOT-263 25V 85A 
AP86T02GH 09 AP/富鼎 SOT-252 25V 75A 0.006Ω
BSC020N03MSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.002Ω
BSC024N025SG 08NPB infineon P-TDSON-8 25V 100A 0.0024Ω
BSC025N03MSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.0025Ω
BSC026N02KSG 08NPB infineon P-TDSON-8 20V 100A 0.0026Ω
BSC029N025SG 08NPB infineon P-TDSON-8 25V 100A 0.0029Ω
BSC030N03LSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.003Ω
BSC030N03MSG 09NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.003Ω
BSC032N03SG 07NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.0032Ω
BSC048N025SG 08NPB infineon P-TDSON-8 25V 89A 0.0048Ω
BSC050N03LSG 09NPB infineon P-TDSON-8 30V 80A 
BSC052N03SG 05NPB infineon P-TDSON-8 30V 80A 0.0052Ω
BSC080N03LSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 53A 0.008Ω
BSC080N03MSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 53A 0.008Ω
CEB71A3 03 CET/华瑞 SOT-263 30V 70A 
CEB8030L 00 CET/华瑞 SOT-263 30V 75A 
FDB6670AL 03 FAIRCHILD SOT-263 30V 80A 
FDB6676 05 FAIRCHILD SOT-263 30V 84A 
FDD6692 04/05 FAIRCHILD SOT-252 30V 54A 
FDD8880 08 FAIRCHILD SOT-252 30V 58A 0.009Ω
FDD8896 07/09 FAIRCHILD SOT-252 30V 94A 0.0057Ω
GFB70N03 01 通用 SOT-263 30V 70A 
GFB75N03 03 通用 SOT-263 30V 75A 
H7N0307LMTR 01 HIT SOT-263 30V 60A 
IRFR3711Z 04 IR SOT-252 20V 93A 
IRFU3706TRL 06 IR 252三脚反贴 20V 75A 
IRFU3709Z 05NPB IR 252三脚反贴 30V 86A 
IRLR7833 07 IR SOT-252 30V 140A 0.0045Ω
IRLR7843PBF 07NPB IR SOT-252 30V 161A 0.0033Ω
NTD110N02RTG4 06NPB ON SOT-252 24V 110A 
NTD4302-1 08 ON SOT-252 30V 68A 
NTD4810NHT4G 06NPB ON SOT-252 30V 54A 
NTD60N02RT4G 08 ON SOT-252 24V 62A 
NTD70N03RT4 05 ON SOT-252 25V 70A 0.0056Ω
NTD80N02T4 06 ON SOT-252 24V 80A 0.005Ω
NTD85N02RT4G 08 ON SOT-252 24V 85A 
P0403BDG 09 NIKO SOT-252 25V 75A 0.004Ω
P75N02LDG 09 NIKO SOT-252 25V 75A 
PFD2500 05 达晶 SOT-252 25V 55A 0.009Ω
PFD2502 05 达晶 SOT-252 25V 83A 0.006Ω
PFD2510 05 达晶 SOT-252 25V 94A 0.014Ω
PFD3002 04 达晶 SOT-252 30V 86A 0.0075Ω
PFD3008 04 达晶 SOT-252 30V 76A 0.009Ω
PFD3014 04 达晶 SOT-252 30V 94A 0.0063Ω
PFS3000 04 达晶 SOT-263 30V 54A 0.0125Ω
PH4830L 08NPB NXP/恩智浦 SOT669 30V 84A 0.0048Ω
PH7030L 05NPB PHILIPS SOT669 30V 68A 
PHB96NQ03LT 05NPB PHILIPS SOT-263 25V 75A 
SDB65N03L 02 SamHop SOT-263 30V 65A 
SDB75N03L 07 FAIRCHILD SOT-263 30V 75A 
SDB85N03L 02 SamHop SOT-263 30V 85A 
STB100NH02LT4 04 ST SOT-263 24V 60A 
STD150NH02LT4 08NPB ST SOT-252 24V 150A 0.0035Ω
STD70N02L 07 ST SOT-252 24V 60A 
SUB85N03-04 04 VISHAY SOT-263 30V 85A 
SUD50N024-06P 04 VISHAY SOT-252 24V 80A 
SUD50N025-06P-E3 06NPB VISHAY SOT-252 25V 78A 0.0062Ω
SUD70N03-06P 04 VISHAY SOT-252 30V 70A 
TM3503FD 06 TechMos SOT-252 25V 65A 
如需了解更多的产品信息:
1、直接与我司工作人员联系!
2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线

了解\\查询\\.)

"

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 方卫贤
  • 电话:0755-82814431
  • 传真:0755-82814431
  • 手机:
  • QQ :
公司相关产品

场效应管 IRFS634A IRFS634B

信息内容:

产品型号:IRFS634A封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):5.8源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.45 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):38输入电容Ciss(PF):730 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s):5.41单脉冲雪崩能量EAS(mJ):210导通延迟时间Td(on)(ns):13 typ.上升时间Tr(ns):14 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):53 typ.下降时间Tf(ns):21 typ.温度(℃): -50 ~150描述:250V,5.8A N-沟道增强型 PowerMESH MOSFET 产品型号:IRFS634B源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):250源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.45漏极电流Id(on)(A):8.1通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150描述:250V,8.1A功率MOSFET 应用范围:.UPS电源如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"

详细内容>>

场效应管 FMV10N60E 10N60E FMV10N60

信息内容:

dzsc/18/8794/18879496.jpgFMV10N60E,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,600V,10A,0.79Ω 全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.

详细内容>>

相关产品