供应 IC 芯片IRFZ46N原装进口
| 价 格： | 1.80 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFZ46N | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
- 场效应管 MOSFET N TO-220 55V 46A
- 晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:46A
- 电压, Vds :55V
- 在电阻RDS（上）:20mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 功耗, Pd:88W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
- 功率, Pd:88W
- 功耗:88W
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 晶体管数:1
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 漏极电流, Id 值:53A
- 热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds ?1?7?1?7型值:55V
- 电压, Vgs :4V
- 电流, Idm 脉冲:180A
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚格式:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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信息内容：IRFB3206 场效应管 MOSFET N沟道 60V TO-220AB晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:210A电压, Vds :60V在电阻RDS（上）:3mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:300W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:300W功耗:300mW器件标号:3206封装类型:TO-220AB栅极电荷 Qg N沟道:120nC漏极电流, Id 值:210A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:60V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:840A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :2V阈值电压, Vgs th :4V
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信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 800V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.1A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 2.5A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 78nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V 功率 - 125W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件
