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供应 场效应管IRFB3206原装进口

价 格: 9.10
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFB3206
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-FBM/全桥组件
封装外形:CHIP/小型片状
材料:GE-P-FET锗P沟道

IRFB3206

 

  • 场效应管 MOSFET N沟道 60V TO-220AB
  • 晶体管极性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:210A
  • 电压, Vds :60V
  • 在电阻RDS(上):3mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗, Pd:300W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功率, Pd:300W
  • 功耗:300mW
  • 器件标号:3206
  • 封装类型:TO-220AB
  • 栅极电荷 Qg N沟道:120nC
  • 漏极电流, Id 值:210A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vgs :4V
  • 电流, Idm 脉冲:840A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th :2V
  • 阈值电压, Vgs th :4V

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏志远
  • 电话:
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信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 800V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.1A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 2.5A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 78nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V 功率 - 125W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件

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信息内容:

类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.7A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 3.2A, 4.5V Id 时的 Vgs(th)() 700mV @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 50nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1500pF @ 15V 功率 - 2.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) 供应商设备封装 8-SO 包装 管件

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