价 格: | 3.60 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFBE30 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | GaAS-FET砷化镓 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.1A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 2.5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 78nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
功率 - 125W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.7A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 3.2A, 4.5V Id 时的 Vgs(th)() 700mV @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 50nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1500pF @ 15V 功率 - 2.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) 供应商设备封装 8-SO 包装 管件
晶体管极性:P通道电流, Id 连续:6.5A电压, Vds :200V在电阻RDS(上):800mohm功耗, Pd:75W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:75W功耗:75W封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W电压, Vds:200V电流, Idm 脉冲:26A针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a"