供应 场效应管IRFPE50原装进口
| 价 格： | 8.60 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFPE50 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MW/微波 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.8A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.2 欧姆 @ 4.7A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3100pF @ 25V
功率 - 190W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
其它名称 *IRFPE50PBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
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供应 IC 芯片IRFZ46N原装进口
信息内容：场效应管 MOSFET N TO-220 55V 46A晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:46A电压, Vds :55V在电阻RDS（上）:20mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:88W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:88W功耗:88W封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:53A热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds ?1?7?1?7型值:55V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:180A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s
供应 场效应管IRFB3206原装进口
信息内容：IRFB3206 场效应管 MOSFET N沟道 60V TO-220AB晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:210A电压, Vds :60V在电阻RDS（上）:3mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:300W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:300W功耗:300mW器件标号:3206封装类型:TO-220AB栅极电荷 Qg N沟道:120nC漏极电流, Id 值:210A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:60V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:840A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :2V阈值电压, Vgs th :4V
