供应MOS场效应管芯片、晶圆、裸片 4N60
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | WAFER/裸芯片 | |
| 型号/规格： | 4N60 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | 俄罗斯、韩国 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆4N60，共有两种不同尺寸，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
产品介绍：
4N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。
芯片基本性质：：
芯片型号Model | 4N60 | |
芯片尺寸： | 3.20*3.58 | 3.42*2.76 |
VDSS | 600V | 600V |
RDS(on) | 2.15(max) | 2.5(max) |
ID | 4.0A | 4.0A |
正面电极金属 | 铝 | 铝 |
背面电极金属 | 银 | 银 |
厂家参考封装形式：
芯片型号 | 封装型号 | 封装类型 |
4N60 | TO-220、TO-220PF | 塑封 |
我公司可提供相关型号详细资料。
- 所属城市：广东
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 刘明
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供应MOS场效应管芯片、晶圆、裸片7N60
信息内容：我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆7N60，质量保证。The UTC 7N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in switching power supplies and adaptors.我公司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
供应MOS场效应管芯片/晶圆/裸片3N50
信息内容：我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/3N50，质量保证。芯片基本性质：芯片型号Model3N50 芯片尺寸：2.55*2.55 硅片直径(㎜)φ125/φ150 正面电极金属铝 背面电极金属银 VDSS500V RDS(on)3.3Ω(max) ID3A 厂家参考封装形式：芯片型号推荐封装形式封装类型3N50 TO-220AB塑封 我公司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
