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供应MOS场效应管芯片/晶圆/裸片3N50

价 格: 面议
封装外形:WAFER/裸芯片
型号/规格:3N50
材料:N-FET硅N沟道
品牌/商标:进口
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:耗尽型

我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/3N50,质量保证。

芯片基本性质:

芯片型号Model

3N50

 

芯片尺寸:

2.55*2.55

 

硅片直径()

φ125/φ150

 

正面电极金属

 

背面电极金属

 

VDSS

500V

 

RDS(on)

3.3Ω(max)

 

ID

3A

 

厂家参考封装形式:

芯片型号

推荐封装形式

封装类型

3N50

    TO-220AB

塑封

 

 

 

我公司可提供相关型号详细资料。

我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!

深圳市斯达特来电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东
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现货供应进口快恢复二极管FR(芯片/晶圆 /裸片)目录

信息内容:

Chip Spec. / Each Size of Die. 快恢復開關二極體晶片(FR) FAST RECOVERY SQUARD DIE SPEC SHEET : PAGE 3SIZEVBRVFIRThicknessSURGETRR50MIL >600V<1.25V@1.0A<2uA210uM /-1030A<148nS >800V<1.25V@1.0A<2uA210uM /-1030A<248nS >1000V<1.25V@1.0A<2uA260uM /-1030A<480nS60MIL >600V<1.25V@2.0A<2uA210uM /-1050A<148nS >800V<1.25V@2.0A<2uA210uM /-1050A<248nS >1000V<1.25V@2.0A<2uA260uM /-1050A<480nS70MIL >600V<1.25V@2.0A<2uA210uM /-1060A<148nS >800V<1.25V@2.0A<2uA210uM /-1060A<248nS >1000V<1.25V@2.0A<2uA260uM /-1060A<480nS84MIL >600V<1.25V@3.0A<2uA210uM /-10120A<148nS >800V<1.25V@3.0A<2uA210uM /-10120A<248nS >1000V<1.25V@3.0A<2uA260uM /-10120A<480nS88MIL >600V<1.25V@3.0A<2uA210uM /-10130A<148nS >800V<1.25V@3.0A<2uA210uM /-10130A<248nS >1000V<1.25V@3.0A<2uA260uM /-10130A<480n...

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供应三极管芯片、晶圆、裸片BC846

信息内容:

我公司经销三极管晶圆、裸片BC846,质量保证。芯片型号:BC846芯片尺寸:0.35㎜*0.35㎜正面电极金属:铝背面电极金属:金推荐厂家参考封装形式:芯片型号封装外型封装类型BC846TO-92塑封 我公司可提供相关型号详细资料。 我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!

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