价 格: | 面议 | |
封装外形: | WAFER/裸芯片 | |
型号/规格: | 3N50 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
品牌/商标: | 进口 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/3N50,质量保证。
芯片基本性质:
芯片型号Model | 3N50 | |
芯片尺寸: | 2.55*2.55 |
|
硅片直径(㎜) | φ125/φ150 |
|
正面电极金属 | 铝 |
|
背面电极金属 | 银 |
|
VDSS | 500V | |
RDS(on) | 3.3Ω(max) |
|
ID | 3A |
|
厂家参考封装形式:
芯片型号 | 推荐封装形式 | 封装类型 |
3N50 | TO-220AB | 塑封 |
|
|
我公司可提供相关型号详细资料。
我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!
Chip Spec. / Each Size of Die. 快恢復開關二極體晶片(FR) FAST RECOVERY SQUARD DIE SPEC SHEET : PAGE 3SIZEVBRVFIRThicknessSURGETRR50MIL >600V<1.25V@1.0A<2uA210uM /-1030A<148nS >800V<1.25V@1.0A<2uA210uM /-1030A<248nS >1000V<1.25V@1.0A<2uA260uM /-1030A<480nS60MIL >600V<1.25V@2.0A<2uA210uM /-1050A<148nS >800V<1.25V@2.0A<2uA210uM /-1050A<248nS >1000V<1.25V@2.0A<2uA260uM /-1050A<480nS70MIL >600V<1.25V@2.0A<2uA210uM /-1060A<148nS >800V<1.25V@2.0A<2uA210uM /-1060A<248nS >1000V<1.25V@2.0A<2uA260uM /-1060A<480nS84MIL >600V<1.25V@3.0A<2uA210uM /-10120A<148nS >800V<1.25V@3.0A<2uA210uM /-10120A<248nS >1000V<1.25V@3.0A<2uA260uM /-10120A<480nS88MIL >600V<1.25V@3.0A<2uA210uM /-10130A<148nS >800V<1.25V@3.0A<2uA210uM /-10130A<248nS >1000V<1.25V@3.0A<2uA260uM /-10130A<480n...
我公司经销三极管晶圆、裸片BC846,质量保证。芯片型号:BC846芯片尺寸:0.35㎜*0.35㎜正面电极金属:铝背面电极金属:金推荐厂家参考封装形式:芯片型号封装外型封装类型BC846TO-92塑封 我公司可提供相关型号详细资料。 我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!