供应MOS场效应管芯片、晶圆、裸片7N60
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | WAFER/裸芯片 | |
| 型号/规格： | 7N60 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | 进口 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆7N60，质量保证。
The UTC 7N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in switching power supplies and adaptors.
我公司可提供相关型号详细资料。
我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
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供应MOS场效应管芯片/晶圆/裸片3N50
信息内容：我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/3N50，质量保证。芯片基本性质：芯片型号Model3N50 芯片尺寸：2.55*2.55 硅片直径(㎜)φ125/φ150 正面电极金属铝 背面电极金属银 VDSS500V RDS(on)3.3Ω(max) ID3A 厂家参考封装形式：芯片型号推荐封装形式封装类型3N50 TO-220AB塑封 我公司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
现货供应进口快恢复二极管FR（芯片/晶圆 /裸片）目录
信息内容：Chip Spec. / Each Size of Die. 快恢復開關二極體晶片(FR) FAST RECOVERY SQUARD DIE SPEC SHEET : PAGE 3SIZEVBRVFIRThicknessSURGETRR50MIL >600V<1.25V@1.0A<2uA210uM /-1030A<148nS >800V<1.25V@1.0A<2uA210uM /-1030A<248nS >1000V<1.25V@1.0A<2uA260uM /-1030A<480nS60MIL >600V<1.25V@2.0A<2uA210uM /-1050A<148nS >800V<1.25V@2.0A<2uA210uM /-1050A<248nS >1000V<1.25V@2.0A<2uA260uM /-1050A<480nS70MIL >600V<1.25V@2.0A<2uA210uM /-1060A<148nS >800V<1.25V@2.0A<2uA210uM /-1060A<248nS >1000V<1.25V@2.0A<2uA260uM /-1060A<480nS84MIL >600V<1.25V@3.0A<2uA210uM /-10120A<148nS >800V<1.25V@3.0A<2uA210uM /-10120A<248nS >1000V<1.25V@3.0A<2uA260uM /-10120A<480nS88MIL >600V<1.25V@3.0A<2uA210uM /-10130A<148nS >800V<1.25V@3.0A<2uA210uM /-10130A<248nS >1000V<1.25V@3.0A<2uA260uM /-10130A<480n...
