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供应 美格拉(纳)MOS—MDD2605RH 原装

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDD2605RH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:DC/直流
封装外形:CHIP/小型片状
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:2.7(V)
跨导:30000(μS)
极间电容:1270(pF)
漏极电流:48000(mA)
耗散功率:34700(mW)

Single N-channel Trench MOSFET 30V, 48.0A, 8.5mΩ

 •工作温度:-40 ~ 85 °C

 •封装类型:TO-252

 

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上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
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信息内容:

• VDS = 500V• ID = 2.8A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 2.5Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C

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长期供应ST原装MOS——STF10N65K3

信息内容:

• VDS=650V • ID=10A• 导通电阻:R<1Ω• 总耗散功率:35W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C "

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