价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDD2605RH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2.7(V) | |
跨导: | 30000(μS) | |
极间电容: | 1270(pF) | |
漏极电流: | 48000(mA) | |
耗散功率: | 34700(mW) |
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 48.0A, 8.5mΩ
•工作温度:-40 ~ 85 °C
•封装类型:TO-252
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• VDS = 500V• ID = 2.8A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 2.5Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C
• VDS=650V • ID=10A• 导通电阻:R<1Ω• 总耗散功率:35W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C "