价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDD3N50GRH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 4800(μS) | |
极间电容: | 285(pF) | |
漏极电流: | 2800(mA) | |
耗散功率: | 45000(mW) |
• VDS = 500V
• ID = 2.8A @ VGS = 10V
• RDS(ON) ≤ 2.5Ω @ VGS = 10V
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
• VDS=650V • ID=10A• 导通电阻:R<1Ω• 总耗散功率:35W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C "
900V N-Channel MOSFET适用于高效开关电源•导通电阻:RDS(on) = 4.2Ω @VGS = 10 V•工作温度范围:-55 ~ 150°C•功率损耗:47W "