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供应 美格拉(纳)MOS—MDD3N50GRH 原装

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDD3N50GRH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:SMD(SO)/表面封装
开启电压:5(V)
跨导:4800(μS)
极间电容:285(pF)
漏极电流:2800(mA)
耗散功率:45000(mW)

• VDS = 500V
• ID = 2.8A @ VGS = 10V
• RDS(ON) ≤ 2.5Ω @ VGS = 10V 

• 工作温度范围:-55 ~ 150°C

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
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