价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STF10N65K3 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 4.5(V) | |
极间电容: | 1180(pF) | |
漏极电流: | 10000(mA) | |
耗散功率: | 35000(mW) |
• VDS=650V
• ID=10A
• 导通电阻:R<1Ω
• 总耗散功率:35W
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
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900V N-Channel MOSFET适用于高效开关电源•导通电阻:RDS(on) = 4.2Ω @VGS = 10 V•工作温度范围:-55 ~ 150°C•功率损耗:47W "
N-Channel MOS:600V,4.6A,2.0Ω 适用于:开关电源;PFC;高电流,高速开关等 封装形式:TO-220F结温范围:-55 ~ 150°C导通电阻RDS(ON)≤2.0Ω开启延迟时间Td(on)=12ns关断延迟时间Td(off)=27ns