价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | BTA20-600B | |
控制方式: | 双向 | |
极数: | 三极 | |
封装材料: | 塑料封装 | |
封装外形: | 平底形 | |
关断速度: | 普通 | |
散热功能: | 带散热片 | |
频率特性: | 高频 | |
功率特性: | 中功率 | |
额定正向平均电流: | 20(A) | |
控制极触发电流: | 60(mA) | |
稳定工作电流: | 30(A) | |
反向重复峰值电压: | 600(V) |
【品名】= 20A四象限双向可控硅(TRIACs)
◇品名 = 8A单向可控硅(SCR) ☆型号 = BT151S-600R◇电流 = 8.0(A) ◇电压 = 600(V) ◇结温 = 125(℃) ◇封装形式 = TO-252◇管脚排列 = K-A-G【主要用途】 各种开关器,调光调速开关,触摸开关,继电器与灯控制, 小型马达控制器,电子镇流器,漏电保护器,传感与检测电路, 大功率可控硅门极驱动,摩托车点火器等线路功率控制。【主要参数】◎通态电流IT(AV) = 5.0A◎浪涌电流ITSM = 95A(50Hz)/100A(60Hz)◎正向耐压VDRM> 600V◎反向耐压VRRM> 600V◎触发电流IGT< 15mA◎通态压降VTM< 1.6V(ITM=16A)◎直接代换其它品牌型号:BT151S-600R"
种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式耗尽型用途MOS-FBM/全桥组件封装外形SMD(SO)/表面封装材料N-FET硅N沟道开启电压3(V)夹断电压30(V)低频跨导24(μS)极间电容780(pF)低频噪声系数240(dB)漏极电流20(mA)耗散功率50(mW)