FQD2N60C场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 国产 | |
| 型号： | FQD2N60C | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 3（V） | |
| 夹断电压： | 30（V） | |
| 跨导： | 24（μS） | |
| 极间电容： | 780（pF） | |
| 低频噪声系数： | 240（dB） | |
| 漏极电流： | 20（mA） | |
| 耗散功率： | 50（mW） |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-FBM/全桥组件 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 3（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 低频跨导 | 24（μS） | 极间电容 | 780（pF） |
| 低频噪声系数 | 240（dB） | 漏极电流 | 20（mA） |
| 耗散功率 | 50（mW） |
深圳市佳冠捷科技有限公司
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