让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>BT151-600R单向可控硅

BT151-600R单向可控硅

价 格: 面议
品牌/商标:国产
型号/规格:BT151-600R
控制方式:双向
极数:三极
封装材料:塑料封装
封装外形:平板形
关断速度:普通
散热功能:带散热片
频率特性:中频
功率特性:中功率

 

◇品名 = 8A单向可控硅(SCR) 
☆型号 = BT151S-600R
◇电流 = 8.0(A) 
◇电压 = 600(V) 
◇结温 = 125(℃) 
◇封装形式 = TO-252
◇管脚排列 = K-A-G

【主要用途】
 各种开关器,调光调速开关,触摸开关,继电器与灯控制,
 小型马达控制器,电子镇流器,漏电保护器,传感与检测电路,
 大功率可控硅门极驱动,摩托车点火器等线路功率控制。

【主要参数】
◎通态电流IT(AV) = 5.0A
◎浪涌电流ITSM =  95A(50Hz)/100A(60Hz)
◎正向耐压VDRM> 600V
◎反向耐压VRRM> 600V
◎触发电流IGT< 15mA
◎通态压降VTM< 1.6V(ITM=16A)
◎直接代换其它品牌型号:BT151S-600R

"

深圳市佳冠捷科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 余先生/吴小姐
  • 电话:0755-83698632
  • 传真:0755-83692831
  • 手机:13808831832
  • QQ :QQ:1640158831QQ:845193178QQ:1147265271
公司相关产品

FQD2N60C场效应管

信息内容:

种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式耗尽型用途MOS-FBM/全桥组件封装外形SMD(SO)/表面封装材料N-FET硅N沟道开启电压3(V)夹断电压30(V)低频跨导24(μS)极间电容780(pF)低频噪声系数240(dB)漏极电流20(mA)耗散功率50(mW)

详细内容>>

PCR406单向可控硅

信息内容:

单向可控硅PCR406参数:• 封装外形:TO-92• 管脚排列:K-G-A• 特 点: 先进的玻璃钝化芯片、具有灵敏的控制极触发电流,通态压降低。• 用 途 : 广泛应用于各种开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路功率控制• 电流/IT(RMS):≤0.6A• 电压/VDRM:≥400V• 触发电流/IGT: IGT: 10~30 uA / IGT: 30~60 uA• 触发电压/VGT: 0.62~0.8 V• 门极散耗功率:0.1W• 工作温度/Tj:-40~ 110°C (储存温度: -40~ 150℃)• 器件品牌:JBL• 包装规格:1000PCS/包,10000PCS/合,60000PCS/箱 "

详细内容>>

相关产品