价 格: | 0.10 | |
品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
型号: | TK10X40D | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | L/功率放大 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
属性 | 值 | 条件 |
部件型号 | TK10X40D | |
极性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 400 V | |
漏电流ID | 10 A | |
漏功耗PD | 125 W | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 20 | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 0.55 Ω | |
封装 | TFP (9.2 x 10.7) | |
管脚数 | 4 | |
表面安装型 | Y | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) | |
RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
部件型号2SK3566 极性N沟 漏源电压VDSS900 V 漏电流ID2.5 A 漏功耗PD40 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)12 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V6.4 Ω 封装TO-220SIS 产品分类功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) 装配基础日本, 马来西亚RoHS Compatible Product(s) (#)"
部件型号2SK3074 极性N沟 用途人员用收音机(520MHz) 漏源电压VDSS@Tc=25°C30 V 泄漏电流ID@Tc=25°C1 A 功耗PD@Tc=25°C, max3 W 输出功率PO(最小)0.63WVDD= 9.6 V, f = 520 MHz, Pi = 0.02 W, Tc=25°C封装PW-Mini(4.6 x 4.2) 管脚数3 产品分类RF功率MOSFET