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东芝代理,原装现货供应2SK3566

价 格: 0.10
品牌/商标:TOSHIBA/东芝
型号/规格:2SK3566
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:DC/直流
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:1(V)
夹断电压:1(V)
极间电容:1(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:1(mA)
耗散功率:1(mW)

部件型号2SK3566 
极性N沟 
漏源电压VDSS900 V 
漏电流ID2.5 A 
漏功耗PD40 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)12 
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V6.4 Ω 
封装TO-220SIS 
产品分类功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) 
装配基础日本, 马来西亚
RoHS Compatible Product(s) (#)
"

上海琼创电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
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东芝代理 原装现货 2SK3074

信息内容:

部件型号2SK3074 极性N沟 用途人员用收音机(520MHz) 漏源电压VDSS@Tc=25°C30 V 泄漏电流ID@Tc=25°C1 A 功耗PD@Tc=25°C, max3 W 输出功率PO(最小)0.63WVDD= 9.6 V, f = 520 MHz, Pi = 0.02 W, Tc=25°C封装PW-Mini(4.6 x 4.2) 管脚数3 产品分类RF功率MOSFET

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东芝代理 原装现货 RFM08U9X

信息内容:

部件型号RFM08U9X 极性N沟 用途人员用收音机(520MHz) 漏源电压VDSS@Tc=25°C36 V 泄漏电流ID@Tc=25°C5 A 功耗PD@Tc=25°C, max20 W 输出功率PO(最小)7.5WVDD=9.6V, f=520MHz, Pi=0.5W, Tc=25℃封装PW-X 管脚数3 表面安装型Y 产品分类RF功率MOSFET

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