价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
型号/规格: | 2SK3074 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
部件型号 | 2SK3074 | |
极性 | N沟 | |
用途 | 人员用收音机(520MHz) | |
漏源电压VDSS@Tc=25°C | 30 V | |
泄漏电流ID@Tc=25°C | 1 A | |
功耗PD@Tc=25°C, max | 3 W | |
输出功率PO(最小) | 0.63W | VDD= 9.6 V, f = 520 MHz, Pi = 0.02 W, Tc=25°C |
封装 | PW-Mini(4.6 x 4.2) | |
管脚数 | 3 | |
产品分类 | RF功率MOSFET |
部件型号RFM08U9X 极性N沟 用途人员用收音机(520MHz) 漏源电压VDSS@Tc=25°C36 V 泄漏电流ID@Tc=25°C5 A 功耗PD@Tc=25°C, max20 W 输出功率PO(最小)7.5WVDD=9.6V, f=520MHz, Pi=0.5W, Tc=25℃封装PW-X 管脚数3 表面安装型Y 产品分类RF功率MOSFET
部件型号2SK4108 极性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID20 A 漏功耗PD150 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)62 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.27 Ω 封装TO-3P(N) 管脚数3 表面安装型N 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 装配基础日本, 泰国RoHS Compatible Product(s) (#)