IGBT,FGS15N40LTF,15N40,FGS15N40
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FGS15N40LTF,SOP-8,FAIRCHILD,SMD/IGBT,400V.15A | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | IGBT绝缘栅比极 | |
| 开启电压： | 1.4（V） | |
| 极间电容： | 3000（pF） | |
| 漏极电流： | 130A（mA） | |
| 耗散功率： | 45W（mW） |
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SMD/IGBT系列：
IRGS4B60KD1TRR,SOT-263,IR,SMD/IGBT,600V.12A
SGB20N60,SOT-263,infineon,SMD/IGBT,.
SKB15N60,SOT-263,infineon,SMD/IGBT,600V.31A
IKB06N60T,SOT-263,infineon,SMD/IGBT,600V.6A
SGB02N120,SOT-263,infineon,SMD/IGBT,.
IRG4BC20KD-S,SOT-263,IR,SMD/IGBT,600V.9A
HGT1S10N120BNS,SOT-263,infineon,SMD/IGBT,1200V.32A
HGTD7N60C3S,SOT-252,FAIRCHILD,SMD/IGBT,600V.14A
SGD02N60,SOT-252,infineon,SMD/IGBT,600V.2A
SGD06N60,SOT-252,infineon,SMD/IGBT,600V.6A
SGD02N120,SOT-252,infineon,SMD/IGBT,1200V.2A
FGS15N40LTF,SOP-8,FAIRCHILD,SMD/IGBT,400V.15A
SGD04N60,SOT-252,infineon,SMD/IGBT,600V.4A
K4N60LV,SOT-252,infineon,SMD/IGBT,600V.4A
IRG4BC30S-STRR,SOT-263,IR,SMD/IGBT,600V.34A
BUK866-400IZ,SOT-263,PHILIPS,SMD/IGBT,400V.20A
公司简介:
深圳市金城微零件有限公司是一家经营半导体电子元件公司,是深圳电子商会常务理事单位.公司拥有一批经验丰富,技术力量雄厚的技术人才,并有大量库存现货,能为不同的客戶提供各种配套服务.
现经销国内外多家名厂产品,经营各种三极管、场效应管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,主要应用于开关电源(如:充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯等)电脑板卡(超小内阻、小体积大体积各种各样场效应管、低压差稳压)、玩具遥控飞机、遥控船等.低压差稳压,为你延长电池使用时间,场效应为你解决压降温升等等问题.
我们将一如既往以“高品质、低价格、一流的技术和一流的服务”为宗旨,为广大厂商提供更优良的服务.
在新世纪,成功更依靠电子科技和信息.深圳市金城微零件有限公司以“创优势,求发展”的概念,诚意欢迎各位同行、有志之仕加入合作,本着互助互利的目标共创新优势.
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供应场效应管 TK6A60DA,K6A60DA
信息内容：产品型号:TK6A60D封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):6源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):40极间电容Ciss(PF):800通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：3单脉冲雪崩能量EAS(mJ):173温度(℃): -55 ~150描述:600V,6A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 AP83T03GH-HF,AP83T03,83T03GH
信息内容：产品型号:AP83T03GH-HF封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):75源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):60输入电容Ciss(PF):1150 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：55单脉冲雪崩能量EAS(mJ):导通延迟时间Td(on)(ns):9.5 typ.上升时间Tr(ns):86 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.下降时间Tf(ns):14 typ.温度(℃): -55 ~175描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管 dzsc/18/8785/18878576.jpg
