场效应管 AP83T03GH-HF,AP83T03,83T03GH
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | AP83T03GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,30V,75A,0.006Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:AP83T03GH-HF
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):75
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):60
输入电容Ciss(PF):1150 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：55
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):9.5 typ.
上升时间Tr(ns):86 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.
下降时间Tf(ns):14 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管
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场效应管 BSC031N06NS3G,031N06NS
信息内容：BSC031N06NS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,100A,0.0031ΩMOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.产品型号:BSC031N06NS3G源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):100源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0031开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):139极间电容Ciss(PF):11000通道极性:N沟道封装/温度(℃):QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 /-55 ~150描述:60V,100A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 IRLB3034PBF IRLB3034
信息内容：IRLB3034PBF,TO-220,DIP/MOS,40V,343A,0.0017Ω<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢！！全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.UPS电源场效应管系列：IRFZ44ZPBF MOS TO-220 IR N场 55V 51A 0.0139ΩIRF3007PBF MOS TO-220 IR N场 75V 80A 0.0126ΩTK50E06K3 MOS TO-220 TOSHIBA N场 60V 50A 0.0085ΩTK80E06K3 MOS TO-220 TOSHIBA N场 60V 80A 0.0085ΩTK80E08K3 MOS TO-220 TOSHIBA N场 75V 80A 0.009ΩSTP80N70F4 MOS TO-220 ST N场 68V 85A 0.0082ΩSTP80NF70 MOS TO-220 ST N场 68V 98A 0.0098ΩSTF17NF25 MOS TO-220F ST N场 250V 17A 0.165ΩSTP7NA40 MOS TO-220 ST N场 400V 6.5A 1ΩSTW11NK90Z MOS TO-247 ST N场 900V 9.2A 0.98ΩSTP30NF10 MOS TO-220 ST N场 100V 35A 0.045ΩSTP60NF10 MOS TO-220 ST N场 100V 80A 0.023ΩLZP40N10 MOS TO-220 LITEON N场 100V 50A 0.026ΩRFP70N0...
