供应场效应管 TK6A60DA,K6A60DA
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | TK6A60DA,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,6A, | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:TK6A60D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.25 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
极间电容Ciss(PF):800
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):173
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,6A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)
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场效应管 AP83T03GH-HF,AP83T03,83T03GH
信息内容：产品型号:AP83T03GH-HF封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):75源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):60输入电容Ciss(PF):1150 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：55单脉冲雪崩能量EAS(mJ):导通延迟时间Td(on)(ns):9.5 typ.上升时间Tr(ns):86 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.下降时间Tf(ns):14 typ.温度(℃): -55 ~175描述:30V,75A N-沟道增强型场效应晶体管 dzsc/18/8785/18878576.jpg
场效应管 BSC031N06NS3G,031N06NS
信息内容：BSC031N06NS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,100A,0.0031ΩMOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.产品型号:BSC031N06NS3G源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):100源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0031开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):139极间电容Ciss(PF):11000通道极性:N沟道封装/温度(℃):QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 /-55 ~150描述:60V,100A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
