价 格: | 面议 | |
封装外形: | WAFER/裸芯片 | |
型号/规格: | 3410 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
品牌/商标: | 进口 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
我司经销MOS场效应管芯片/晶圆3410,质量保证。
芯片基本性质:
芯片型号Model | 3410 | |
芯片尺寸: | 3.19*3.96 |
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硅片直径(㎜) | φ125/φ150 |
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正面电极金属 | 铝 |
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背面电极金属 | 银 |
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VDSS | 100V | |
RDS(on) | 0.1Ω(max) |
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ID | 17A |
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厂家参考封装形式:
芯片型号 | 推荐封装形式 | 封装类型 |
3410 | TO-251 TO-252 | 塑封 |
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我公司可提供相关型号详细资料。
我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!
我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆4N60,共有两种不同尺寸,质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!产品介绍:4N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET,具有快速开关的特点。芯片基本性质::芯片型号Model4N60芯片尺寸:3.20*3.583.42*2.76VDSS600V600VRDS(on)2.15(max)2.5(max)ID4.0A4.0A正面电极金属铝铝背面电极金属银银厂家参考封装形式:芯片型号封装型号封装类型 4N60 TO-220、TO-220PF塑封我公司可提供相关型号详细资料。
我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆7N60,质量保证。The UTC 7N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in switching power supplies and adaptors.我公司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!