IRF530NPBF场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | IRF/VISHAY | |
| 型号/规格： | IRF530NPBF | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | MES金属半导体 | |
| 开启电压： | 100（V） | |
| 漏极电流： | 1700（mA） | |
| 耗散功率： | 7900（mW） |
| 品牌 | IR美国国际整流器公司 | 型号 | IRF530NPBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | MES金属半导体 |
| 开启电压 | 100（V） | 夹断电压 | -（V） |
| 跨导 | -（μS） | 极间电容 | -（pF） |
| 低频噪声系数 | -（dB） | 漏极电流 | 17000（mA） |
| 耗散功率 | 7900（mW） |
- IRF530NPBF特点
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：90 毫欧 @ 9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：17A
深圳市佳冠捷科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
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