N沟MOSF管FDD6680S
| 价 格： | 3.00 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 型号/规格： | FDD6680S | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 3（V） | |
| 跨导： | 0（μS） | |
| 极间电容： | 0（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0（dB） | |
| 漏极电流： | 0（mA） | |
| 耗散功率： | 0（mW） |
TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET
| FDD6680AS |
| TO-252-2 |
| High Voltage Switches for Power Processing |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| PowerTrench® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 10.5 毫欧 @ 12.5A, 10V |
| 30V |
| 55A |
| 3V @ 1mA |
| 29nC @ 15V |
| 1200pF @ 15V |
| 1.3W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFR3710Z
信息内容：数据列表IRFR3710ZPbF, IRFU3710ZPbF产品相片TO-252-2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 33A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2930pF @ 25V功率 - 140W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63供应商设备封装D-Pak包装带卷 (TR)
N沟MOSF管FDS6690A
信息内容：SO8, N沟MOSFET数据列表FDS6690A产品相片8-SOIC产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 11A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11AId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1205pF @ 15V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm"
