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N沟MOSF管IRFR3710Z

价 格: 5.00
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFR3710Z
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:L/功率放大
材料:P-FET硅P沟道
开启电压:100(V)
夹断电压:10(V)
跨导:0(μS)
极间电容:0(pF)
低频噪声系数:0(dB)
漏极电流:0(mA)
耗散功率:0(mW)

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
IRFR3710ZPbF, IRFU3710ZPbF
TO-252-2
2,000
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
18 毫欧 @ 33A, 10V
100V
42A
4V @ 250µA
100nC @ 10V
2930pF @ 25V
140W
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
D-Pak
带卷 (TR)

深圳市金广顺科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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N沟MOSF管FDS6690A

信息内容:

SO8, N沟MOSFET数据列表FDS6690A产品相片8-SOIC产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 11A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11AId 时的 Vgs(th)()3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1205pF @ 15V功率 - 1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm"

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PMIC - PFC(功率因数修正)UCC28061

信息内容:

类别集成电路 (IC)家庭PMIC - PFC(功率因数修正)系列Natural Interleaving™模式间歇(跃迁)频率 - 开关500kHz电流 - 启动200µA电源电压14 V ~ 21 V工作温度-40°C ~ 125°C安装类型表面贴装封装/外壳16-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装16-SOICN包装带卷 (TR)"

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