价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDF9N50TH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
夹断电压: | 30(V) | |
跨导: | 7000(μS) | |
极间电容: | 780(pF) | |
漏极电流: | 9000(mA) | |
耗散功率: | 38000(mW) |
适用于:开关电源, HID,照明
• VDS = 500V
• ID = 9.0A @ VGS = 10V
• RDS(ON) ≤ 0.85Ω @ VGS = 10V
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology •工作温度范围:-55 to 150 °C•开启延迟时间:10ns•关断延迟时间:44ns•SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)•表面安装器件:通孔安装•功耗:33W•封装类型:TO-220F
• VDS=650V • ID=14A• 导通电阻:R<0.299Ω• 总耗散功率:125W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C "