SE8209A N沟MOS SOT23-6 光宇
| 价 格： | 0.50 | |
| 品牌： | SINO-IC | |
| 型号： | SE8209A N沟MOS SOT23-6 光宇 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | AM/调幅 | |
| 封装外形： | SP/特殊外形 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 20（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
主要MOS型号：SE2102E,SE7401U,SE8205，SE8205A，SE8810，SE8810A，SE8209，SE8209A，SE2301，SE2305，SE2306,SE3400，SE3401,SE2N7002，SE9435，SE4953，SE4606，SED5852，SED5853，SE1N60, SE2N60, SE4N60, SE5N60dzsc/18/8782/18878243.jpg
dzsc/18/8782/18878243.jpg
- 所属城市：上海 上海市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 袁丽玲
- 电话：021-33932402
- 传真：021-33932402
- 手机：
- QQ ：
供应场效应管 SE5N60 TO-252
信息内容：上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)提供产品如下：（电话：021-33932402） SE5N60Revision:B5A,600V N-Channel MOSFET Features●VDS(V) = 700V @150℃●ID= 5A●RDS(ON)<1.8Ω(VGS= 10V)Order NumberPackagePin AssignmentPacking123SE5N60TO-252GDSTubeSE5N60（F）TO-220（F）GDSTube
场效应管SE8205 双N沟道 TSSOP-8封装
信息内容：SHANGHAI June 2006MICROELECTRONICSCO., LTD. SE8205 N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorRevision:A Features● VDS= 20V,ID= 6ARDS(ON)< 37.5mΩ @ VGS=2.5VRDS(ON)< 27.5mΩ @ VGS=4.5V●High Power and current handing capability●Lead free product is acquired●Surface Mount PackageExternal Dimensions: (Unit:mm) Applications ●Battery protection●Load switch●Power management Construction●Silicon epitaxial planer Absolute maximum ratings (Ta=25℃)ParameterSymbolLimitsUnitDrain-Source VoltageVDS20VGate-Source VoltageVGS±10VDrain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)ID6AIDM25AMaximum Power DissipationPD1.5WOperating Junction and Storage Temperature RangeTJ,TSTG-55 To 150℃THERMAL CHARACTERISTICSThermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)RθJA83℃/WElectrical characteristics (Ta=25℃)ParameterSymbolConditionsMin.Typ.Max.UnitOFF CHARACTERISTICS Drain-Source Breakdown VoltageBVDSSVGS=0V ID=250μA20...
