供应场效应管 SE5N60 TO-252
| 价 格： | 1000.00 | |
| 品牌/商标： | SINO-IC | |
| 型号/规格： | SE5N60 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | AM/调幅 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 600（V） | |
| 夹断电压： | 600（V） | |
| 低频跨导： | 60（μS） | |
| 极间电容： | 800（pF） | |
| 低频噪声系数： | 800（dB） | |
| 漏极电流： | 800（mA） |
上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)提供产品如下：
（电话：021-33932402）
SE5N60 |
Revision:B |
5A,600V N-Channel MOSFET
Features●VDS(V) = 700V @150℃ ●ID= 5A ●RDS(ON)<1.8Ω(VGS= 10V)
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- 联系人： 袁丽玲
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场效应管SE8205 双N沟道 TSSOP-8封装
信息内容：SHANGHAI June 2006MICROELECTRONICSCO., LTD. SE8205 N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorRevision:A Features● VDS= 20V,ID= 6ARDS(ON)< 37.5mΩ @ VGS=2.5VRDS(ON)< 27.5mΩ @ VGS=4.5V●High Power and current handing capability●Lead free product is acquired●Surface Mount PackageExternal Dimensions: (Unit:mm) Applications ●Battery protection●Load switch●Power management Construction●Silicon epitaxial planer Absolute maximum ratings (Ta=25℃)ParameterSymbolLimitsUnitDrain-Source VoltageVDS20VGate-Source VoltageVGS±10VDrain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)ID6AIDM25AMaximum Power DissipationPD1.5WOperating Junction and Storage Temperature RangeTJ,TSTG-55 To 150℃THERMAL CHARACTERISTICSThermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)RθJA83℃/WElectrical characteristics (Ta=25℃)ParameterSymbolConditionsMin.Typ.Max.UnitOFF CHARACTERISTICS Drain-Source Breakdown VoltageBVDSSVGS=0V ID=250μA20...
供应LED开路保护器件(图)SEDA
信息内容：上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)提供产品如下：（电话：021-33932402）公司特色:上海光宇睿芯微电子有限公司(SINO-IC)是自主研发设计生产公司，在保证产品品质的同时，价格也是的。 SEDA是一款专用于LED电路的开路保护器件，使得当某一个LED灯损坏或开路时并不影响其他LED的正常工作；并同时具有防过压保护性能，使得LED免受瞬时雷击而损坏。 SEDA具有开关时间短、反应迅速等特点，大大提高了LED电路工作的稳定性。产品特征??双向保护??击穿电压:6V??漏电流低: IR=10uA max.??短路电流: IH=20mA max产品特征??双向保护??击穿电压:6V??漏电流低: IR=10uA max.??短路电流: IH=20mA max "
