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供应 美格拉(纳)MOS—MDP15N60GTH 原装

价 格: 4.80
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDP15N60GTH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
开启电压:5(V)
夹断电压:30(V)
跨导:11500(μS)
极间电容:2311(pF)
漏极电流:15000(mA)
耗散功率:231400(mW)

N-Channel MOSFET 600V, 15A, 0.40Ω

 

• VDS = 600V
• ID = 15A @ VGS = 10V
• RDS(ON) ≤ 0.4Ω @ VGS = 10V 

• 工作温度范围:-55 ~ 150°C

•封装形式:TO-220

 

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上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
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信息内容:

适用于:开关电源, HID,照明• VDS = 500V• ID = 9.0A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 0.85Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C

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信息内容:

Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology •工作温度范围:-55 to 150 °C•开启延迟时间:10ns•关断延迟时间:44ns•SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)•表面安装器件:通孔安装•功耗:33W•封装类型:TO-220F

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