价 格: | 4.80 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDP15N60GTH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
夹断电压: | 30(V) | |
跨导: | 11500(μS) | |
极间电容: | 2311(pF) | |
漏极电流: | 15000(mA) | |
耗散功率: | 231400(mW) |
N-Channel MOSFET 600V, 15A, 0.40Ω
• VDS = 600V
• ID = 15A @ VGS = 10V
• RDS(ON) ≤ 0.4Ω @ VGS = 10V
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
•封装形式:TO-220
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适用于:开关电源, HID,照明• VDS = 500V• ID = 9.0A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 0.85Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围:-55 ~ 150°C
Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology •工作温度范围:-55 to 150 °C•开启延迟时间:10ns•关断延迟时间:44ns•SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)•表面安装器件:通孔安装•功耗:33W•封装类型:TO-220F