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场效应管 SPS02N60C3 SPS02N60

价 格: 面议
品牌/商标:INFINEON/英飞凌
型号/规格:SPS02N60C3,MOS,600V,1.8A,3Ω,251短
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:N-FET硅N沟道
夹断电压:30
极间电容:200
漏极电流:1.8A

dzsc/18/8782/18878208.jpg

SPS02N60C3,MOS,600V,1.8A,3Ω,251

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
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场效应管 AP9915GH 9915GH

信息内容:

产品型号:AP9915GH封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20夹断电压VGS(V):±12漏极电流Id(A):20源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):1.2功率PD(W):26极间电容Ciss(PF):195 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s):13单脉冲雪崩能量EAS(mJ):温度(℃): -55 ~150描述:20V,20A N-Channel ENHANCEMENT MODE Power MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"

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场效应管 FMH25N50G 25N50G FMH25N50

信息内容:

dzsc/18/8782/18878288.jpgFMH25N50G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,25A,0.26Ω 1.Scope: This specifies Fuji Power MOSFETFMH25N50G2.Construction: N-Channel enhancement mode power MOSFET3.Applications; for Switching4.Outview; TO-3P

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