价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | INFINEON/英飞凌 | |
型号/规格: | SPS02N60C3,MOS,600V,1.8A,3Ω,251短 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
夹断电压: | 30 | |
极间电容: | 200 | |
漏极电流: | 1.8A |
dzsc/18/8782/18878208.jpg
SPS02N60C3,MOS,600V,1.8A,3Ω,251
产品型号:AP9915GH封装:SOT-252源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20夹断电压VGS(V):±12漏极电流Id(A):20源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):1.2功率PD(W):26极间电容Ciss(PF):195 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s):13单脉冲雪崩能量EAS(mJ):温度(℃): -55 ~150描述:20V,20A N-Channel ENHANCEMENT MODE Power MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
dzsc/18/8782/18878288.jpgFMH25N50G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,25A,0.26Ω 1.Scope: This specifies Fuji Power MOSFETFMH25N50G2.Construction: N-Channel enhancement mode power MOSFET3.Applications; for Switching4.Outview; TO-3P