场效应管 AP9915GH 9915GH
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | AP9915GH，SOT-252，，SMD/MOS，N场，20V，20A，0.05Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:AP9915GH
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±12
漏极电流Id(A):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):1.2
功率PD(W):26
极间电容Ciss(PF):195 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：13
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~150
描述:20V,20A N-Channel ENHANCEMENT MODE Power MOSFET
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场效应管 FMH25N50G 25N50G FMH25N50
信息内容：dzsc/18/8782/18878288.jpgFMH25N50G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，25A，0.26Ω 1.Scope: This specifies Fuji Power MOSFETFMH25N50G2.Construction: N-Channel enhancement mode power MOSFET3.Applications; for Switching4.Outview; TO-3P
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信息内容：型号：2SK3607-01MR封装：TO-220F品牌：FUJ类型：DIP/MOS极性：N场电压：200V电流：18A内阻：0.17Ω备注：全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. ItemSymbolRatingsUnitDrain-source voltageVDS200VContinuous drain currentID±18APulsed drain currentID(puls]±72AGate-source voltageVGS±30VNon-repetitive Avalanche currentIAS18AMaximum Avalanche EnergyEAS125.5mJMaximum Drain-Source dV/dtdVDS/dt20kV/µsPeak Diode Recovery dV/dtdV/dt5kV/µs ItemSymbolTest ConditionsRatingsUnitGate threshold voltageVGS(th)ID=250µA VDS=VGS3-5VDrain-source on-state resistanceRDS(on)ID=6.5A VGS=10V170m?Input capacitanceCissVDS=75V1155pFOutput capacitanceCossVGS=0V165pFReverse transfer capacitanceCrssf=1MHz7.5pF如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL：40062626664、Q Q：4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询...
