价 格: | 面议 | |
漏极电流: | 18A | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
型号/规格: | 2SK3607-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,200V,18A,0.17Ω | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
品牌/商标: | FJD日本富士电机 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
夹断电压: | 30 | |
导电方式: | 增强型 | |
极间电容: | 1155 |
型号:2SK3607-01MR
封装:TO-220F
品牌:FUJ
类型:DIP/MOS
极性:N场
电压:200V
电流:18A
内阻:0.17Ω
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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
Item | Symbol | Ratings | Unit |
Drain-source voltage | VDS | 200 | V |
Continuous drain current | ID | ±18 | A |
Pulsed drain current | ID(puls] | ±72 | A |
Gate-source voltage | VGS | ±30 | V |
Non-repetitive Avalanche current | IAS | 18 | A |
Maximum Avalanche Energy | EAS | 125.5 | mJ |
Maximum Drain-Source dV/dt | dVDS/dt | 20 | kV/µs |
Peak Diode Recovery dV/dt | dV/dt | 5 | kV/µs |
Item | Symbol | Test Conditions | Ratings | Unit |
Gate threshold voltage | VGS(th) | ID=250µA VDS=VGS | 3-5 | V |
Drain-source on-state resistance | RDS(on) | ID=6.5A VGS=10V | 170 | m? |
Input capacitance | Ciss | VDS=75V | 1155 | pF |
Output capacitance | Coss | VGS=0V | 165 | pF |
Reverse transfer capacitance | Crss | f=1MHz | 7.5 | pF |
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