供应 场效应管 CEU2182
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEU2182 | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | SOT-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 2500/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
CEU2182,SOT-252,SMD/MOS,N场,20V,42A,0.018Ωdzsc/18/7821/18782175.jpg
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深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon,FAIRCHILD,ST,IR, SANYO, TOSHIBA,FUJI等国际品牌，经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，主要应用于开关电源（如充电器、逆变转换DC -AC、转向灯、节能灯、HID灯系列等）、电池保护、机顶盒、电脑主板、显卡、液晶、玩具遥控飞机、遥控船等。
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供应 场效应管 BSC009NE2LS,009NE2LS
信息内容：型号：BSC020N025SG 通道极性:N通道 封装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 25 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 190 mJ Gate source voltage VGS ±20 ...
供应 场效应管 BSC0904NSI,0904NSI
信息内容：型 号：BSC0904NSI 标 记: 0904NSI 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 78 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 312 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=30A, RGS=25Ω 14 mJ Gate source voltage VGS ±20 ...
