特价供应RFP70N06

价格：		面议
品牌：		仙童飞兆 Fairchild FSC
型号：		RFP70N06
种类：		绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：		N沟道
导电方式：		增强型
用途：		A/宽频带放大
封装外形：		CER-DIP/陶瓷直插
材料：		ALGaAS铝镓砷
开启电压：		1（V）
夹断电压：		1（V）
低频跨导：		1（μS）
极间电容：		1（pF）
低频噪声系数：		1（dB）
漏极电流：		1（mA）
耗散功率：		1（mW）

详细介绍
企业详情

仙童飞兆 Fairchild代理

Manufacturer:

Fairchild Semiconductor

Product Category:

MOSFETs

RoHS:

dzsc/18/8781/18878115.jpg Details

Product:

General Purpose MOSFETs

Configuration:

Single

Package / Case:

TO-220AB

Transistor Polarity:

N-Channel

Drain-Source Breakdown Voltage:

60 V

Continuous Drain Current:

70 A

Power Dissipation:

150000 mW

Resistance Drain-Source RDS (on):

0.014 Ohm @ 10 V

Typical Fall Time:

24 ns

Typical Rise Time:

137 ns

Typical Turn-Off Delay Time:

32 ns

Packaging:

Tube

Gate-Source Breakdown Voltage:

/- 20 V

Maximum Operating Temperature:

175 C

Minimum Operating Temperature:

- 55 C

Type:

MOSFET

深圳市飞捷士科技有限公司

公司信息未核实

所属城市：广东深圳
[联系时请说明来自维库仪器仪表网]
联系人： 杨宝林
电话：755-88250321
传真：755-88250321
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信息内容：

仙童 MOS IGBT 场效应管Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:IGBT Transistors RoHS:dzsc/18/8782/18878210.jpg Details Package / Case:TO-247 Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V Collector-Emitter Saturation Voltage:2.2 V Maximum Gate Emitter Voltage:20 V Continuous Collector Current Ic Max:28 A Gate-Emitter Leakage Current: /- 250 nA Power Dissipation:125 W Packaging:Tube Configuration:Single

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信息内容：

本公司韩国TRINNO的一级代理商，全力致力于TRINNO的MOSFET的推广性比价优于美格纳，及国内知名的士兰微，可以申请样品测试。"

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