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供应 ON安森美MOS—2N7002W 原装

价 格: 面议
品牌/商标:0N/安森美
型号/规格:2N7002W
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:DC/直流
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:2.5(V)
跨导:530(μS)
极间电容:24.5(pF)
漏极电流:30000(mA)
耗散功率:330(mW)

•VDS=60V

•ID=0.34A

•RDS(ON)=2.5Ω

•耗散功率:PD=0.33W   @TC=25°C

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

 

 

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上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
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VDS = 500VVDS = 550V @ TjmaxID = 13.0A @ VGS = 10VRDS(ON) < 0.5Ω @ VGS = 10V 工作温度范围:-55 ~ 150°C

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