价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | 2N7002W | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2.5(V) | |
跨导: | 530(μS) | |
极间电容: | 24.5(pF) | |
漏极电流: | 30000(mA) | |
耗散功率: | 330(mW) |
•VDS=60V
•ID=0.34A
•RDS(ON)=2.5Ω
•耗散功率:PD=0.33W @TC=25°C
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
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VDS = 500VVDS = 550V @ TjmaxID = 13.0A @ VGS = 10VRDS(ON) < 0.5Ω @ VGS = 10V 工作温度范围:-55 ~ 150°C
•封装形式:TO-251 •VDS=600V •ID=1.9A •导通电阻:R≤4.5Ω •耗散功率:42W •工作温度范围:-55 ~ 150°C "