价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDP13N50GTH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 13000(μS) | |
极间电容: | 1390(pF) | |
漏极电流: | 13000(mA) | |
耗散功率: | 187000(mW) |
VDS = 500V
VDS = 550V @ Tjmax
ID = 13.0A @ VGS = 10V
RDS(ON) < 0.5Ω @ VGS = 10V
工作温度范围:-55 ~ 150°C
•封装形式:TO-251 •VDS=600V •ID=1.9A •导通电阻:R≤4.5Ω •耗散功率:42W •工作温度范围:-55 ~ 150°C "
适用于镇流器,开关电源,PFC •封装形式:TO-220•导通电阻: R≤1.55Ω•ID=4.5A•VDS=500V•工作温度范围:-55 ~ 150°C "