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供应 美格拉(纳)MOS—MDI2N60TH 原装

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDI2N60TH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:5(V)
跨导:500(μS)
极间电容:360(pF)
漏极电流:1900(mA)
耗散功率:42000(mW)

 •封装形式:TO-251

 •VDS=600V

 •ID=1.9A

 •导通电阻:R≤4.5Ω

 •耗散功率:42W

 •工作温度范围:-55 ~ 150°C

 

 

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上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
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信息内容:

适用于镇流器,开关电源,PFC •封装形式:TO-220•导通电阻: R≤1.55Ω•ID=4.5A•VDS=500V•工作温度范围:-55 ~ 150°C "

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信息内容:

N-channel 600V - 0.65Ω - 10A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开启延迟时间:20ns•关断延迟时间:55ns

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