价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDI2N60TH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 500(μS) | |
极间电容: | 360(pF) | |
漏极电流: | 1900(mA) | |
耗散功率: | 42000(mW) |
•封装形式:TO-251
•VDS=600V
•ID=1.9A
•导通电阻:R≤4.5Ω
•耗散功率:42W
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
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适用于镇流器,开关电源,PFC •封装形式:TO-220•导通电阻: R≤1.55Ω•ID=4.5A•VDS=500V•工作温度范围:-55 ~ 150°C "
N-channel 600V - 0.65Ω - 10A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开启延迟时间:20ns•关断延迟时间:55ns