供应 美格拉（纳）MOS—MDI2N60TH 原装
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | MagnaChip(美格纳半导体) | |
| 型号/规格： | MDI2N60TH | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 5（V） | |
| 跨导： | 500（μS） | |
| 极间电容： | 360（pF） | |
| 漏极电流： | 1900（mA） | |
| 耗散功率： | 42000（mW） |
•封装形式：TO-251
•VDS=600V
•ID=1.9A
•导通电阻：R≤4.5Ω
•耗散功率：42W
•工作温度范围：-55 ~ 150°C
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上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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