价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | MCR22-8 | |
控制方式: | 单向 | |
极数: | 三极 | |
封装材料: | 塑料封装 | |
封装外形: | 平板形 | |
关断速度: | 高频(快速) | |
散热功能: | 带散热片 | |
功率特性: | 中功率 | |
额定正向平均电流: | 2(A) | |
控制极触发电流: | 10(mA) | |
稳定工作电流: | 25(A) | |
反向重复峰值电压: | 600(V) |
【品名】=1.5A单向微触发可控硅(SCR)
【型号】=MCR22-8
【电流】=1.5(A)
【电压】=600(V)
【结温】=125(℃)
【封装形式】=TO-92
【管脚排列】=K-G-A
【主要用途】
调光器,电子式镇流器,电机驱动,断电保护器,照相机,开关器,小型马达控制器,彩灯控制器,漏电保护器,灯具继电器激励器,逻辑集成电路驱动,大功率可控硅门极驱动,摩托车点火器等线路功率控制。
【主要参数】
◎通态方均电流IT(RMS)=1.5A
◎通态浪涌电流ITSM=15A
◎正向耐压VDRM>600V
◎反向耐压VRRM>600V
◎触发电流IGT<200uA(微触发)
◎通态压降VTM<1.7V(ITM=2A)
◎触发电压VGT=0.4V?0.8V
◎直接代换其它品牌型号:MCR22-8
控制方式 | 单向 | 极数 | 三极 |
封装材料 | 塑料封装 | 封装外形 | 平板形 |
关断速度 | 高频(快速) | 散热功能 | 带散热片 |
功率特性 | 中功率 | 额定正向平均电流 | 2(A) |
控制极触发电流 | 10(mA) | 稳定工作电流 | 25(A) |
反向重复峰值电压 | 600(V) |
品牌IR美国国际整流器公司型号IRF530NPBF种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途L/功率放大封装外形P-DIT/塑料双列直插材料MES金属半导体开启电压100(V)夹断电压-(V)跨导-(μS)极间电容-(pF)低频噪声系数-(dB)漏极电流17000(mA)耗散功率7900(mW) IRF530NPBF特点 类别:分离式半导体产品家庭:MOSFET,GaNFET - 单系列:HEXFET®FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:90 毫欧 @ 9A, 10V漏极至源极电压(Vdss):100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:17A
【品名】= 20A四象限双向可控硅(TRIACs)【型号】= BTA20【电流】= 20.0(A)【电压】= 600,800,1000,1200(V)【结温】= 125(℃)【封装形式】= TO-220AB【管脚排列】= T1-T2-G【主要用途】变频电路,调光、调温、调速电路,电扇、洗衣机、饮水机、微波炉、空调等家用电器的控制电路。【主要参数】◎通态方均电流IT(RMS) = 20.0A◎通态浪涌电流ITSM = 200A◎正向耐压VDRM> 600V-1200V◎反向耐压VRRM> 600V-1200V◎触发电流IGT(I/II/III/IV)< 50/50/50/100mA◎通态压降VTM < 1.55V(ITM=35.0A)◎触发电压VGT ≈ 1.5V◎直接代换其它品牌型号:BTA20-600B,BTA20-800B,BTA20-1000B,BTA20-1200B,"