价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
型号/规格: | 2SK3078A | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
部件型号 | 2SK3078A | |
极性 | N沟 | |
用途 | FRS/GMRS(470MHz) | |
漏源电压VDSS@Tc=25°C | 10 V | |
泄漏电流ID@Tc=25°C | 500 mA | |
功耗PD@Tc=25°C, max | 3 W | |
输出功率PO(最小) | 0.63W | VDD= 4.5 V, f = 470 MHz, Pi = 0.1 W, Tc=25°C |
封装 | PW-Mini(4.6 x 4.2) | |
管脚数 | 3 | |
产品分类 | RF功率MOSFET |
属性值条件部件型号TK10X40D 极性N沟 漏源电压VDSS400 V 漏电流ID10 A 漏功耗PD125 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)20 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.55 Ω 封装TFP (9.2 x 10.7) 管脚数4 表面安装型Y 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) RoHS Compatible Product(s) (#)Available
部件型号2SK3566 极性N沟 漏源电压VDSS900 V 漏电流ID2.5 A 漏功耗PD40 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)12 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V6.4 Ω 封装TO-220SIS 产品分类功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) 装配基础日本, 马来西亚RoHS Compatible Product(s) (#)"