价 格: | 1.80 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF840 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | CHOP/斩波、限幅 | |
封装外形: | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
材料: | GaAS-FET砷化镓 |
IRF840
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 180 毫欧 @ 12A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V 功率 - 150W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFP240PBF
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 4 毫欧 @ 20A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 2.32V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 51nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 4310pF @ 15V 功率 - 2.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) 供应商设备封装 8-SO 包装 管件