价 格: | 5.68 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFP240 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-ARR/陈列组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GaAS-FET砷化镓 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 180 毫欧 @ 12A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
功率 - 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
产品目录页面 1529 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFP240PBF
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 4 毫欧 @ 20A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 2.32V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 51nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds 4310pF @ 15V 功率 - 2.5W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) 供应商设备封装 8-SO 包装 管件
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 33A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 44 毫欧 @ 16A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 71nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1960pF @ 25V 功率 - 130W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 其它名称 *IRF540NSPBF