价 格: | 2.10 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF7832 SOP | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-ARR/陈列组件 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 4 毫欧 @ 20A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 2.32V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 51nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4310pF @ 15V
功率 - 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 8-SO
包装 管件
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 33A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 44 毫欧 @ 16A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 71nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1960pF @ 25V 功率 - 130W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 管件 其它名称 *IRF540NSPBF
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 800V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.8A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 1.2 欧姆 @ 4.7A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 200nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 3100pF @ 25V 功率 - 190W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 其它名称 *IRFPE50PBF