【华强实体店供应】供应单向可控硅 MCR100-6/100-6/MCR100-6G
| 价 格： | 0.20 | |
| 品牌/商标： | 长电 | |
| 型号/规格： | MCR100-6 | |
| 控制方式： | 单向 | |
| 极数： | 二极 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 关断速度： | 普通 | |
| 散热功能： | 不带散热片 | |
| 功率特性： | 小功率 | |
| 额定正向平均电流： | 0.8（A） | |
| 控制极触发电流： | 0.01-0.06（mA） | |
| 稳定工作电流： | 0.8（A） | |
| 反向重复峰值电压： | 400（V） |
通态伏安（压降）特性曲线VTM(X:200mV; Y:200mA;IGT:10uA):
因存在线阻和测试温度、测试仪器精度等原因，测得的读数偏大。
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正向断态重复峰值电压特性曲线VDRM(X:100V; Y:1mA):
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反向断态重复峰值电压特性曲线VRRM(X:100V; Y:1mA):
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描述:
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- 所属城市：广东 深圳
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【华强实体店供应】贴片场效应管 IRF640S/640s/F640S
信息内容：類別 離散半導體產品 家庭 MOSFET - 單 安裝類型 表面黏著式 FET型 N通道 漏極至源極的電壓(Vdss) 200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 18A 開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 180毫歐姆@ 11A，10V 輸入電容(Ciss)@Vds 1300pF @ 25V 功率 - 130W 封裝 散裝 閘電流(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V 封裝/外殼 D²Pak (SMD-220-3, TO-263-3) FET Feature Standard 其他名稱 IRF640SIRF640S-ND
【华强实体店供应】高压贴片场效应管 FQD5N60C/FQD5N60/5N60
信息内容：电流特性曲线(X:500mV; Y:200mA;VGS:1V): 因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因，测得的读数偏大。dzsc/18/8781/18878152.jpg耐压特性曲线(X:100V; Y:500uA): dzsc/18/8781/18878152.jpg dzsc/18/8781/18878152.jpgdzsc/18/8781/18878152.jpgdzsc/18/8781/18878152.jpgMOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关性能 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。这里将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。 EAS，IAR和EAR的定义及测量 MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关，其最终的表现就是温度的上升，而温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。功率半导体对快速功率脉冲（时间为100～200μs）的热响应可以由式1说明：dzsc/18/8781/18878152.jpg (1)
