场效应 FQPF13N60 13N60 11N60
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FQPF13N60,MOS,600V,13A,220F | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | ±30 | |
| 开启电压： | 5 | |
| 漏极电流： | 13A |
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FQPF13N60,MOS,600V,13A,220F
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场效应管 IRFS17N20D IRFS17N20 DTRR
信息内容：产品型号:IRFS17N20DTRR封装:SOT-263源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):16源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.17 @VGS =10 V开启电压VGS(TH)(V):5.5功率PD(W):140极间电容Ciss(PF):1100通道极性:N沟道低频跨导gFS(ms)：5.3单脉冲雪崩能量EAS(mJ):240温度(℃): -55 ~175描述:200V,16A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
场效应管 TK12A55D,K12A55D,TK12A55
信息内容：产品型号:TK12A55D封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):12源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):45极间电容Ciss(PF):1550通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：6单脉冲雪崩能量EAS(mJ):317温度(℃): -55 ~150描述:550V,12A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
