场效应管 ISL9N315AD3ST N315AD ISL9N315
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 30A | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | ISL9N315AD3ST,MOS,30V,30A,0.015Ω,252 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | INTERSIL/英特矽尔 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 夹断电压： | 20 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 极间电容： | 900 |
产品型号:ISL9N315AD3ST
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015 @VGS =10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):55
极间电容Ciss(PF):900
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,30A N-Channel 功率MOSFET
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信息内容：dzsc/18/8772/18877207.jpgFQPF13N60,MOS,600V,13A,220F "
场效应管 IRFS17N20D IRFS17N20 DTRR
信息内容：产品型号:IRFS17N20DTRR封装:SOT-263源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):16源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.17 @VGS =10 V开启电压VGS(TH)(V):5.5功率PD(W):140极间电容Ciss(PF):1100通道极性:N沟道低频跨导gFS(ms)：5.3单脉冲雪崩能量EAS(mJ):240温度(℃): -55 ~175描述:200V,16A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
