场效应管 2SK2652 2SK2652-01 K2652
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 6A | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | 2SK2652-01，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，900V，6A，2.5Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | FJD日本富士电机 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 夹断电压： | 30 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 极间电容： | 900 |
产品型号:2SK2652-01
封装:TO-3P
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):6
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):125
极间电容Ciss(PF):900
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):277
温度(℃): -55 ~150
描述:900V,6A N-channel MOSFET
应用:
开关调节器
UPS
DC-DC变换器
通用电源功放
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场效应管 ISL9N315AD3ST N315AD ISL9N315
信息内容：产品型号:ISL9N315AD3ST封装:SOT-252/DPAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):30源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015 @VGS =10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):55极间电容Ciss(PF):900通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(mJ):温度(℃): -55 ~175描述:30V,30A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
场效应 FQPF13N60 13N60 11N60
信息内容：dzsc/18/8772/18877207.jpgFQPF13N60,MOS,600V,13A,220F "
