N沟MOSF管IRL630S
| 价 格： | 7.00 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 型号/规格： | IRL630S | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 200（V） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRL630SPBF |
| D2PAK, TO-263 |
| IR(F,L,Z) Series Side 1 IR(F,L,Z) Series Side 2 |
| 1,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 400 毫欧 @ 5.4A, 5V |
| 200V |
| 9A |
| 2V @ 250µA |
| 40nC @ 10V |
| 1100pF @ 25V |
| 3.1W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
| 管件 |
| D2PAK |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管FDD6680S
信息内容：TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表FDD6680AS产品相片TO-252-2产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫欧 @ 12.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C55AId 时的 Vgs(th)（）3V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 15V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1200pF @ 15V功率 - 1.3W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
N沟MOSF管IRFR3710Z
信息内容：数据列表IRFR3710ZPbF, IRFU3710ZPbF产品相片TO-252-2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 33A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2930pF @ 25V功率 - 140W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63供应商设备封装D-Pak包装带卷 (TR)
