现货特价供应IRF7832ZTRPBF
| 价 格： | 2.20 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF7832ZTRPBF | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 10（V） | |
| 跨导： | 20（μS） |
MOSFET, 30V, 21A, 3.8 mOhm, 30 nC Qg, SO-8 深圳现货，IR原装。
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- 所属城市：广东 深圳
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信息内容：大量IRF840PBF 优惠价格供应，原装，假一罚十。500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)PARAMETER SYMBOL LIMIT UNITDrain-Source Voltage VDS 500 VGate-Source Voltage VGS ± 20 VContinuous Drain Current VGS at 10 VTC = 25 °CID8.0TC = 100 °C 5.1 APulsed Drain Currenta IDM 32Linear Derating Factor 1.0 W/°CSingle Pulse Avalanche Energyb EAS 510 mJRepetitive Avalanche Currenta IAR 8.0 ARepetitive Avalanche Energya EAR 13 mJMaximum Power Dissipation TC = 25 °C PD 125 WPeak Diode Recovery dV/dtc dV/dt 3.5 V/nsOperating Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg - 55 to 150°CSoldering Recommendations (Peak Temperature) for 10 s 300d
