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IRF830,现货,MOSFET,场效应管 大功率场效应管 mosfet ir场效应

价 格: 1.50
品牌:IR/国际整流器
型号:IRF830PBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:L/功率放大
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:20(V)
夹断电压:20(V)
跨导:5(μS)
极间电容:20(pF)
低频噪声系数:20(dB)
漏极电流:50(mA)
耗散功率:50(mW)

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深圳市科沃科技有限公司
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大量现货IRF840PBF,场效应管,现货 大功率场效应管 IRF irf3205

信息内容:

大量IRF840PBF 优惠价格供应,原装,假一罚十。500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)PARAMETER SYMBOL LIMIT UNITDrain-Source Voltage VDS 500 VGate-Source Voltage VGS ± 20 VContinuous Drain Current VGS at 10 VTC = 25 °CID8.0TC = 100 °C 5.1 APulsed Drain Currenta IDM 32Linear Derating Factor 1.0 W/°CSingle Pulse Avalanche Energyb EAS 510 mJRepetitive Avalanche Currenta IAR 8.0 ARepetitive Avalanche Energya EAR 13 mJMaximum Power Dissipation TC = 25 °C PD 125 WPeak Diode Recovery dV/dtc dV/dt 3.5 V/nsOperating Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg - 55 to 150°CSoldering Recommendations (Peak Temperature) for 10 s 300d

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供应IRF3205 IRF3205PBF,场效应管 大功率场效应管 IRF fsc

信息内容:

大量IRF3205PBF 优惠价格供应 ParameterValuePackage TO-220AB Polarity N VBRDSS (V) 55 RDS(on) 10V (mOhms) 8.0 ID TC = 25C (A) 98 ID TC = 100C (A) 69 Qg Typ 97.3 Qgd Typ 36.0 Rth(JC) 1.00 Power TC = 25C (W) 150

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