IRF830,现货，MOSFET，场效应管 大功率场效应管 mosfet ir场效应
| 价 格： | 1.50 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRF830PBF | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 20（V） | |
| 夹断电压： | 20（V） | |
| 跨导： | 5（μS） | |
| 极间电容： | 20（pF） | |
| 低频噪声系数： | 20（dB） | |
| 漏极电流： | 50（mA） | |
| 耗散功率： | 50（mW） |
IRF840 IRF3205 |
IRF830 IRF3710 |
| IRF740 |
| IRF840A IRFZ48N |
| IRF540N IR1150 |
| IR2153S IRFZ44N |
| IR2111 |
| IRS2453 IR2520D |
| 30BQ015 IR2153 |
| 20BQ030 IRF3415S |
- 所属城市：广东 深圳
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大量现货IRF840PBF，场效应管,现货 大功率场效应管 IRF irf3205
信息内容：大量IRF840PBF 优惠价格供应，原装，假一罚十。500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)PARAMETER SYMBOL LIMIT UNITDrain-Source Voltage VDS 500 VGate-Source Voltage VGS ± 20 VContinuous Drain Current VGS at 10 VTC = 25 °CID8.0TC = 100 °C 5.1 APulsed Drain Currenta IDM 32Linear Derating Factor 1.0 W/°CSingle Pulse Avalanche Energyb EAS 510 mJRepetitive Avalanche Currenta IAR 8.0 ARepetitive Avalanche Energya EAR 13 mJMaximum Power Dissipation TC = 25 °C PD 125 WPeak Diode Recovery dV/dtc dV/dt 3.5 V/nsOperating Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg - 55 to 150°CSoldering Recommendations (Peak Temperature) for 10 s 300d
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信息内容：大量IRF3205PBF 优惠价格供应 ParameterValuePackage TO-220AB Polarity N VBRDSS (V) 55 RDS(on) 10V (mOhms) 8.0 ID TC = 25C (A) 98 ID TC = 100C (A) 69 Qg Typ 97.3 Qgd Typ 36.0 Rth(JC) 1.00 Power TC = 25C (W) 150
