供应 双向可控硅芯片、裸片、晶圆
| 价 格： | 1.50 | |
| 封装外形： | 晶圆、裸片 | |
| 型号/规格： | ITR01-60;ITR01-80 | |
| 反向重复峰值电压： | ---（V） | |
| 稳定工作电流： | ---（A） | |
| 控制极触发电流： | ---（mA） | |
| 极数： | 三极 | |
| 品牌/商标： | 进口 | |
| 额定正向平均电流： | ----（A） | |
| 控制方式： | 双向 | |
| 封装材料： | 塑料封装 |
Wafer Diameter ----100mm
Wafer Thickness -----(290 ± 20)μm
Die Size -----(1.5 × 1.5)mm
Scribe Line Width---- 80μm
Gate Pad------ (220 × 220)μm
Cathode Pad -----(445 × 445)μm
Metallization
Planar Side -------Al (2.0 – 2.2)μm
Collector Side----- Ti (0.1 ± 0.02)μm
Ni------ (0.5 ± 0.10)μm
Ag ------(0.6 ± 0.10)μm
Repetitive Peak Off-State Voltages（ VDRM,VRRM） ----600 /800V
RMS On-State Current IT (RMS) ------ 1A
Peak Non-repetitive Surge Current ITSM ------ 8A( Sine Wave, f = 50Hz,
t = 20ms, Tj =25°С)
- 所属城市：广东
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 刘明
- 电话：86075588391297/88391097
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供应MOS场效应管芯片/晶圆/裸片3410
信息内容：我司经销MOS场效应管芯片/晶圆3410，质量保证。芯片基本性质：芯片型号Model3410 芯片尺寸：3.19*3.96 硅片直径(㎜)φ125/φ150 正面电极金属铝 背面电极金属银 VDSS100V RDS(on)0.1Ω(max) ID17A 厂家参考封装形式：芯片型号推荐封装形式封装类型 3410 TO-251 TO-252塑封 我公司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
供应MOS场效应管芯片、晶圆、裸片 4N60
信息内容：我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆4N60，共有两种不同尺寸，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！产品介绍：4N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。芯片基本性质：：芯片型号Model4N60芯片尺寸：3.20*3.583.42*2.76VDSS600V600VRDS(on)2.15(max)2.5(max)ID4.0A4.0A正面电极金属铝铝背面电极金属银银厂家参考封装形式：芯片型号封装型号封装类型 4N60 TO-220、TO-220PF塑封我公司可提供相关型号详细资料。
